| 型号： | PMBFJ176,215 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | JFET P-CHAN 30V SOT-23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 |
| PMBFJ176,215 PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-23 MOSFET |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2mA @ 15V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - |
| FET 型 | P 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 1V @ 10nA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS（开） | 250 欧姆 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-2082-1 |